模式下的1N4007当施加到阳极端子的输入电压大于施加到阴极端子的输入电压时，1N4007
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑 晶体
中都离不开一个重要的电子元件--整流桥。整流桥，把交流电变为直流电。而直流电源的主要组成，就是把交流电在经过稳压、整流和滤波的一个
又可细分为：一般通用整流用，以开关为前提的高速整流用，用于超高速整流的迅速恢复型，还有同样具有高速性和低
的精密化、应用微细化，被要求使用更高性能的保护元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。2. 按结构分类按素子构造来分类
截止，电流如蓝色箭头所示，Vout电压等于电容电压加上正半周电压，所以Vout=2V；偏压型正钳
。正半周，通过D1将超出的部分钳位在0.7V，负半周通过D2将超出的部分钳位在-0.7V。正偏压限幅为了产生不同的限幅电压，有时候会在
都是反向接入，也是利用它的反向特性，利用PN结雪崩效应，在反向击穿前均有一个临界电压，在反向接入
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 12:51 编辑 请教，
。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的
是不同的。它让电流向两个方向流动。然而，反向电流(从阴极到阳极)只有当反向电压高于精确的额定电压，即齐纳电压时才能流动。当齐纳导电线路电流在反向
测试仪通常情况下，您必须了解到稳定器电压，而手头没有一点东西。这一个项目是未解决这个问题而设计的。PCB+原理
前端获取信号后，由运算放大器放大，然后输入到微控制器的ADC，只看到输出
。例如，负载可以是微控制器系统，这就要求电源电压保持恒定，即使其电流会随着系统活动的变化而变化。
的替换问题，很多工程师和采购员都提出这种疑问。那么，这两者之间的替代需要满足什么样的条件呢？一、
者的相同点TVS是在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效
保护元器件，PS秒级的响应速度和高浪涌吸收能力是其核心优势。当瞬态电压抑制
，进而立体声耳机内听到的声音频率（声调）改变。。2.P1用于改变听到的声音大小。上期原文章地址：【每天看
3.当Vi处于正半周期D→ON时，C充电至V值，其中Vo=0V。当Vi处于负半周期时，D→OFF，Vo=-2V。（2）
相同。反向击穿拐点近似为“直角”，是一种硬击穿，是典型的PN结雪崩器件。从击穿点到VC值的曲线能够准确的看出，当有瞬时过电压脉冲时，设备电流猛地增加，而反向电压上升到钳
。这样就减少了总的器件数量，由此减少了组合后的安装区域。 (3) 出色的ESD防护功能 在实现了超级小型化的同时
是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的半导体元器件，它一般是采用轴向塑料封装，主要使用在于10--1000MHz高频
的情况下，当过压超过 +Vs 时，输入电流本身不会受到放大器本身的限制，并且需要以串联电阻器
免受过压影响的主要方法。1.4 什么是瞬态电压抑制器？金属氧化物压敏电阻、TVS
在负电压下通过限流电阻升压，并在正极处连接到低压或接地，因此输出为正电压。
利用其反向击穿电流在很宽的范围内变化，反向击穿电压基本不变，达到稳压的目的。（2）发光
，想实现的目的：1.接P+、P-两端，既能充电也能放电2.接P+、C-两端只能充电不能放电能轻松实现吗？另外，两个
中PN结电容的大小除了与本身结构尺寸和工艺有关，还与外加电压有关。一般来说，结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的
？真的有人这样做吗？我在任何地方都找不到这方面的例子。我发现了一些似乎也没用它的 Nucleo
。我在 STM32L431CBT6 上使用 10k 上拉电阻，并使用 LD3985M33R 作为我的 LDO。 ps 这是对这个原始问题的扩展，但是放置
工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。
) A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而
），是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的
工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。 它的原理图符号有如下图所示的两种： 标称稳定电压VZ（Nominal Zener Voltage）是稳压
工作在反向击穿状态时，它的工作电流在很大范围内变化而其两端的电压基本不变。它的原理图符号有如下图所示的两种：标称